無機化學及其化合物制造及其合成,應用技術
  • 晶體生長安瓿位置調節裝置及系統的制作方法
    本實用新型涉及晶體生長安瓿位置調節,具體而言,涉及一種晶體生長安瓿位置調節裝置及系統。水平管式晶體生長爐是一種常用的人工晶體生長設備,在物理氣相輸運法(PVT)、化學氣相輸運法(CVT)、水平布里奇曼法(HB)、水平溫度梯度冷凝法(HGF)等多種晶體生長方法中有著重要的應用。這些方...
  • 一種晶體原料用預處理裝置的制作方法
    本實用新型涉及光電功能晶體制備,尤其涉及一種晶體原料用預處理裝置。光電功能材料是一種具有光學性質、電學性質或光電轉換性質的材料,而光電功能晶體是光電功能材料中的一種晶體材料,其廣泛應用于微電子、光電子、通信、航天及現代軍事技術等高科技領域。其中溴化鑭,碘化鋰,碘化鍶,碘化鈉,碘化銫...
  • 用于定向凝固生長多晶硅的冷卻機構的制作方法
    本實用新型涉及光伏,具體涉及一種用于定向凝固生長多晶硅的冷卻機構。目前,對于太陽能的開發和利用主要是以太陽能電池的形式,太陽能電池是通過光電效應直接把光能轉化為電能的裝置,硅以其高豐度、耐高電壓、耐高溫、晶帶寬度大,比其它半導體材料有體積小、效率高、壽命長、可靠性強以及性能穩定無毒...
  • 用于多晶硅制備的定向凝固機構的制作方法
    本實用新型涉及光伏,具體涉及一種用于多晶硅制備的定向凝固機構。目前太陽能已經成為最受關注的綠色能源,多晶硅是目前應用最廣泛的太陽能電池材料,定向凝固是獲得太陽能級多晶硅材料的有效冶金提純手段。定向凝固是指在凝固過程中采用強制手段,在凝固金屬和未凝固金屬熔體中建立起特定方向的溫度梯度...
  • 一種籽晶托的制作方法
    本實用新型涉及晶體制備,具體而言,涉及一種籽晶托。氣相晶體生長法是一種常用的晶體生長法,在ZnO、ZnSe、CdS等多種II-VI族化合物半導體單晶的生長中有重要應用。該方法通過加熱使生長原料氣化,利用溫度場和氣流將氣相組分輸運到坩堝低溫端進行晶體生長。利用這種方法生長出的單晶體成...
  • 一種單晶測量裝置及單晶爐的制作方法
    本實用新型涉及單晶質量測量,特別是涉及一種單晶測量裝置。隨著金剛線切片成本降低,單晶硅太陽能電池在光伏市場所占比重逐漸增大,單晶成型過程一般采用單晶爐。在單晶成型過程中,需對單晶的尺寸進行嚴格監測管控。目前,對單晶成型過程中的監控多采用CCD攝像掃描系統,將CCD攝像頭設置在單晶爐...
  • 焰熔法晶體生長夾持機構的制作方法
    本實用新型涉及一種焰熔法人工合成寶石裝置,尤其是涉及其生長系統的夾持取件機構。隨著社會的進步和科學技術的發展,人工合成寶石的方法和手段也在不斷增多和更新,現今用的最為廣泛的是焰熔法,焰熔法生長寶石設備由給料系統、氫氧燃燒器、結晶爐和下降裝置組成。傳統技術下降裝置連接旋轉平臺有螺接、焊接,本...
  • 具有隔離層的單晶薄膜的制備方法、單晶薄膜及諧振器與流程
    本發明涉及單晶薄膜制備,尤其是涉及一種具有隔離層的單晶薄膜的制備方法、單晶薄膜及諧振器。目前,覆蓋于襯底之上的單晶薄膜結構制備方法為將高能量離子注入到單晶晶圓中,可以形成損傷層,經過單晶晶圓與襯底鍵合、退火處理,可以使單晶晶圓沿損傷層劈裂,達到制備覆蓋于襯底之上的薄膜結構的目的。單...
  • 戊二胺制備過程中含硫酸鈣固渣的處理方法與流程
    本發明屬于工業廢渣處理領域,具體是針對生物法制備戊二胺過程中所產生的含硫酸鈣固渣的處理方法。近年來,關于戊二胺生物法制備的報道很多,常使用的方法為微生物發酵法。基本上可以分為三步,(1)發酵生產賴氨酸:以生物質為原料生產賴氨酸;(2)脫羧酶的發酵及酶轉化:以賴氨酸為原料,通過脫羧酶使賴氨酸...
  • 一種碘酸硒酸鉍紅外倍頻晶體材料及其制備與應用的制作方法
    本發明屬于光學晶體材料,涉及一種碘酸硒酸鉍紅外倍頻晶體材料。二階非線性光學晶體的典型特征是具有倍頻效應(SHG),是一種重要的光電功能材料,在激光頻率轉換、光電調制、激光信號全息儲存等領域具有重要的應用前景。依據透光波段和適用范圍,無機非線性光學晶體材料可以分為紫外光區非線性光學材...
  • 一種碳化硅單晶生長裝置的制作方法
    本發明涉及一種碳化硅單晶生長裝置。物理氣相輸運法(PVT法)已成為碳化硅單晶生長的主要技術方法,該方法是將碳化硅多晶原料裝在石墨坩堝本體底部,用石墨坩堝蓋將石墨坩堝本體蓋上,形成一個密閉空間,石墨坩堝蓋下表面安裝有碳化硅籽晶,通過對石墨坩堝本體、石墨坩堝蓋組成的系統進行加熱,使石墨...
  • 一種電阻法碳化硅晶體生長用坩堝的制作方法
    本發明涉及碳化硅晶體相關,具體為一種電阻法碳化硅晶體生長用坩堝。碳化硅作為碳和硅唯一穩定的化合物,熱導率約為硅的4.4倍,臨界擊穿電場約為硅的8倍,電子的飽和漂移速度為硅的2倍。碳化硅的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件的優選材料,可用于地面核反應堆系統的監控...
  • 一種碳化硅電阻法生長晶體的溫場模擬系統的制作方法
    本發明涉及碳化硅晶體相關,具體為一種碳化硅電阻法生長晶體的溫場模擬系統。碳化硅作為碳和硅唯一穩定的化合物,熱導率約為硅的4.4倍,臨界擊穿電場約為硅的8倍,電子的飽和漂移速度為硅的2倍。碳化硅的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件的優選材料,可用于地面核反應堆系...
  • 一種氯化鎂誘導劑法合成鱗片狀六鈦酸鉀的方法與流程
    本發明涉及一種氯化鎂誘導劑法合成鱗片狀六鈦酸鉀的方法,屬于無機鹽陶瓷材料制造。目前,一般情況下鱗片狀六鈦酸鉀的合成是以片狀鈦酸鉀鎂或鈦酸鋰鉀為原料,強酸溶液中的氫離子將多層狀結構的鈦酸鉀鎂或鈦酸鋰鉀中鉀離子、鎂離子或鉀離子、鋰離子交換出來,形成無定形多層狀鈦酸,然后在含有氫氧化鉀的...
  • 具有涂覆層的金剛石合成用襯底及金剛石合成系統的制作方法
    本發明涉及金剛石合成裝置領域,更具體的涉及一種具有涂覆層的金剛石合成用襯底及金剛石合成系統。金剛石由于具有極其優異的物理化學性質,引起了大家的關注。但天然金剛石儲量有限,于是人們開發出多種合成金剛石方法,如高溫高壓法(HPHT)、熱絲化學氣相沉積法(HJCVD)。其中微波等離子體化學氣相沉...
  • 一種氣相輸運法制備黑砷磷單晶的方法與流程
    本發明涉及新材料合成方法,尤其涉及一種氣相輸運法制備黑砷磷單晶這一長波長紅外半導體的方法。現代微電子技術的飛速發展,對半導體材料的電學性質提出了更高的要求。半導體材料的帶隙寬度、帶隙類型以及載流子有效質量等性質將直接影響其在電子器件和光電子器件等領域的應用價值。對于半導體材料光電性能的可調...
  • 一種在硅(211)襯底上生長硒化鉍高指數面單晶薄膜的方法與流程
    本發明屬于半導體材料領域,具體涉及一種在硅(211)襯底上生長硒化鉍高指數面單晶薄膜的方法,特別是利用分子束外延設備在Si(211)襯底上采用生長超薄Bi緩沖層法生長Bi2Se3(2045)取向高指數面單晶外延薄膜的方法。以Bi2Se3為代表的一類傳統熱電材料被預言為新一類的三維拓撲絕緣體...
  • 一種采用PVT法制備電子器件襯底的方法與流程
    本發明涉及襯底制備,具體為一種采用PVT法制備電子器件襯底的方法。目前,氮化物襯底材料的研究與開發增大字體復位寬帶隙的GaN基半導體在短波長發光二極管、激光器和紫外探測器,以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應用前景;對環保,其還是很適合于環保的材料體系。半導體照明產業發展分類所示的...
  • 本發明涉及SiC基板制作,具體為一種SiC基板的制造方法。碳化硅又名,碳硅石、金鋼砂或耐火砂,化學簡式:SiC,是用石英砂、石油焦或煤焦、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成的一種耐火材料,碳化硅在大自然也存在于罕見的礦物,在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅由于化學性能...
  • 一種氣相輸運法制備黑磷和摻雜黑磷單晶的方法與流程
    本發明涉及新材料合成方法,尤其涉及一種氣相輸運法制備黑磷和摻雜黑磷的方法。自二維黑磷被首次報道以來,由于具有其獨特的光電特性,因此已有眾多學者投入到對黑磷的研究中來,并取得了一系列的成果。黑磷具有隨層數可調的直接帶隙,高的載流子遷移率及開關比,各向異性的光電性質,良好的生物相容性與載藥能力...
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